HY2143
產品特性
內建高精度電池偵測電流
- 延遲時間由內部電路設置（不需要外接電容）
- 輸出邏輯：CMOS輸出，高電平有效；高電平由穩壓器輸出4.7V（典型值）
- 輸出邏輯高電平有效最長時間：可選，不局限于默認值
- 低電流
- 工作模式典型值5.0μA，最大9.0μA（VCelln = 3.9V）。
- 關閉模式1: 典型值4.5μA，最大值8.0μA（VCelln = 3.1V）。
- 關閉模式2: 典型值0.6μA，最大1.0μA（VCelln = 2.0V）。
- LDO輸出電路
- LDO輸出電壓3.0V / 3.3V（典型值）。精度：±65mV
- LDO輸出電流最大2mA。
- 輸入電壓檢測水平：
- 電壓檢測電平（從VDD）2.8V（典型值）。精度：±1V
- 耐高壓設計：絕對最大額定值為30V。
- 寬工作溫度範圍：-40°C至+ 85°C
- 小包裝：DFN-2.0 * 2.0-8L
- 無鹵綠色產品
Package Type DFN8 (2.0X2.0mm)
| IC型號 | 過充電檢測電壓 VCUn |
過充電釋放電壓 VCRn |
關閉模式2檢測電壓 VSD2n |
過充電檢測 延遲時間 TOCn |
過充電釋放 延遲時間 TCRn |
過充電檢測計數器 復位延遲時間 TDTR |
LDO輸出電壓 VLDO |
關閉模式2檢測 延遲時間 TSD2n |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HY2143-DA1C | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2143-DA1H | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2143-EA1D | 4.550 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2143-FA1H | 4.600 V | 4.300 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2143-GA1H | 4.650 V | 4.300 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
選型表
