HY2141
產品特性
- 內建高精度電池偵測電流
- 延遲時間由內部電路設置（不需要外接電容）
- 延遲時間縮短功能：通過特定的設置可以縮短過充電檢測延遲時間
- 輸出邏輯：CMOS輸出，高電平有效；高電平由穩壓器輸出4.7V（典型值）
- 輸出邏輯高電平有效最長時間：可選，不局限于默認值
- 低耗電流：
- 工作模式：典型值5.0μA，最大值9.0μA（VCelln = 4.15V）
- 過充檢測關斷模式：典型值4.5μA，最大值8.0μA（VCelln = 3.1V）
- LDO關閉模式：典型值0.5μA，最大值1.0μA（VCelln = 2.0V）
- 待機模式：最大值0.5μA（VCelln = 1.5V）
- 2節/3節/4節應用選擇：通過外部線路，2節/3節/4節應用可選
- LDO輸出電路：
- LDO輸出電壓：3.3V 精度±65mV
- LDO輸出電流：最大值2.5mA
- 高耐壓設計：絕對最大額定值是30V
- 寬工作溫度範圍：-40℃ ~ +85℃
- 小型封裝：DFN-2.0*2.0-8L
- 無鹵素綠色環保產品
Package Type DFN8 (2.0X2.0mm)
| IC型號 | 過充電檢測電壓 VCUn |
過充電釋放電壓 VCRn |
關閉模式2檢測電壓 VSD2n |
過充電檢測 延遲時間 TOCn |
過充電釋放 延遲時間 TCRn |
過充電檢測計數器 復位延遲時間 TDTR |
LDO輸出電壓 VLDO |
關閉模式2檢測 延遲時間 TSD2n |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HY2141-AA1C | 4.350 V | 4.050 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2141-DA1C | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2141-DA1D | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-DA1G | 4.500 V | 4.200 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2141-TA1H | 4.500 V | 4.200 V | 3.055 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-EA1D | 4.550 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-EA1H | 4.550 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-MA1G | 4.550 V | 4.250 V | 2.800 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.300 V | 6s |
| HY2141-UA1H | 4.550 V | 4.250 V | 3.055 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-FA1D | 4.600 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | 6ms | 3.000 V | 6s |
| HY2141-FA1H | 4.600 V | 4.250 V | 2.500 V | 6.0s | 16ms | <0.6ms | 3.000 V | 6s |
選型表
