HY2151
产品特性
- 内建高精度电池侦测电流
- 延迟时间由内部电路设置(不需要外接电容)
- 内置定时器复位延时电路
- 输出逻辑:CMOS输出,高电平有效
- 输出逻辑高电平有效最长时间:无限制
- 低电流(25°C; n = 1,2,3,4,5)
- 操作模式(VCelln = 4V,LDO ON)典型值3.2μA,最大5μA
- 耐高压设计:绝对最大额定值为32V。
- 宽工作温度范围:-40°C至+ 85°C
- 小包装:DFN8(1.97 * 2.46 mm)
- 无卤绿色产品
Package Type DFN8(1.97X2.46mm) DataSheet
IC型号 | 过充电检测电压 VCUn |
过充电释放电压 VCRn |
过充电检测 延迟时间 TOCn |
过充电检测计数器 复位延迟时间 TDTR |
断线检测 |
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HY2151-GJ1C | 4.220 V | 4.170 V | 1.0s | 12ms | 不允许 |
HY2151-ZJ1C | 3.900 V | 3.850 V | 1.0s | 12ms | 不允许 |
选型表