HY2131
产品特性
- 高精度电压检测电路
- 延迟时间由内部电路设置（不需外接电容）
- 延时时间缩短功能：通过特定的设置可以缩短过充电检测延迟时间
- 输出逻辑：CMOS输出，高电平有效；高电平由稳压器输出4.7V（典型值）
- 低耗电流：
- 工作模式 典型值3.0μA ，最大值6.0μA（VCelln=3.9V）
- 待机模式 最大值0.5μA（VCelln=3.1V）
- 2节/3节应用选择：通过外部线路，2节或3节应用可选。
- 高耐压设计：绝对最大额定值是30V。
- 宽工作温度范围： -40℃～+85℃
- 小型封装： TSOT-23-6, SON-6L
- 无卤素绿色环保产品
Package Type TSOT-23-6 DataSheet
| IC型号 | 过充电检测电压 VCUn |
过充电释放电压 VCRn |
待机检测电压 VSB |
充电检测延迟时间 TOC |
过充电释放电压 TCR |
过充电检测计时器 复位延迟时间 TDTR |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HY2131-AF1A | 4.350 V | 4.050 V | 3.5 V | 6000 ms | 16 ms | 6 ms |
| HY2131-BF1A | 4.450 V | 4.150 V | 3.5 V | 6000 ms | 16 ms | 6 ms |
| HY2131-CF1A | 4.400 V | 4.100 V | 3.5 V | 6000 ms | 16 ms | 6 ms |
| HY2131-DF1A | 4.500 V | 4.200 V | 3.5 V | 6000 ms | 16 ms | 6 ms |
| HY2131-EF1A | 4.550 V | 4.250 V | 3.5 V | 6000 ms | 16 ms | 6 ms |
| HY2131-GF1A | 4.200 V | 3.900 V | 3.5 V | 6000 ms | 16 ms | 6 ms |
Package Type SON(1.6×1.6mm) DataSheet
| IC型号 | 过充电检测电压 VCUn |
过充电释放电压 VCRn |
待机检测电压 VSB |
充电检测延迟时间 TOC |
过充电释放电压 TCR |
过充电检测计时器 复位延迟时间 TDTR |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HY2131-DH2A | 4.500 V | 4.200 V | 3.5 V | 4000 ms | 16 ms | 6 ms |
注:如有特殊要求/规格,请洽业务/代理商
选型表
